IGBT光纤测温-可控硅光纤测温-晶闸管光纤测温

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)被广泛应用于通讯、交通和电力等诸多领域，并且正在朝着高电压、高频率和大功率的方向发展。以上系统的高安全性要求使得IGBT的可靠性的要求提高。因此对IGBT的状态监测和寿命预测极其重要，IGBT失效形式很多，而温度是是导致其失效的主要因素，因此热分析是IGBT状态评估中的重要内容，实时测取IGBT结温对于提高系统的可靠性具有重要的意义。

高电压大功率晶闸管是超高压或特高压直流输电工程中换流阀的关键元件，晶闸管的健康状况直接影响着直流输电工程的安全可靠性。晶闸管在工作过程中，在高电压、大电流、温度、湿度、机械振动、以及辐射等多种应力的共同作用下，晶闸管发生老化的现象在所难免，其性能参数也随着老化而改变。全面掌握晶闸管的老化及其参数退化的规律，对于晶闸管状态评估、制定科学的检修方案，以及对晶闸管剩余寿命预测均具有十分重要的意义。

IGBT作为低压高压的一个门电路，其工作正常与否直接决定了电动压缩机工作状态。IGBT失效是电动汽车售后市场电动压缩机的主要问题之一，失效模式主要有IGBT击穿和短路，其中IGBT过流、过热是导致其失效的主要的原因。目前大部分厂家根据IGBT的失效模式，会在压缩机控制策略中会增加IGBT过流保护(过载保护)和IGBT过热保护，但这些保护策略之前没有相互关联，IGBT可能会有长时间工作在大电流和高温下的情况，这无疑会降低IGBT的使用寿命，而且此种保护方式会限制IGBT的工作电流，进而限值电机的动力输出。

随着化工能源的不断枯竭，环境污染的加剧，电动汽车在市场占有率逐年提升。电机控制器作为电动汽车的核心部件，为整车提供驱动力。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为其控制部分的核心元器件，扮演着重要的角色。由于电动汽车用驱动电机功率大，工作环境恶劣，这要求IGBT模块能够处理较大的电流。这要求IGBT模块本身具有良好的散热能力，同时可以承受较高的工作温度。

以IGBT为代表的半导体功率器件是变流器的核心部件之一，也是主要的发热部件之一，其热管理极其重要，在很大程度上影响着器件的寿命和变流器的可使用年限。热主要从两个温度方面影响IGBT器件寿命，一是允许温度，当前工业类的IGBT器件最高允许温度大多为150℃，小部分为175℃，超过允许温度，器件可靠性得不到保证，很容易失效；二是温度波动或者叫温度循环，因为IGBT器件内部包含多种材料，而每种的材料热膨胀率不一样,温度波动使得器件反复地膨胀和收缩，而不同材料的膨胀和收缩程度不一样，频繁的温度波动会带来IGBT器件因热疲劳而失效的问题。IGBT器件允许温度在当前的变流器中都会被关注，并且产品设计时会留有一定裕量；而温度波动在很多时候被较少关注，即使关注温度波动，也主要考虑避免波动时的IGBT结温超过允许温度，而不是关注温度循环寿命，因为温度波动造成的器件热疲劳与波动的频率和幅值密切相关，是一个的长期积累的过程。

福州华光天锐提供荧光光纤测温装置，可以直接实现IGBT光纤测温、可控硅光纤测温、晶闸管光纤测温。